在EMC暗室中，使用接受天線在3m和10m距離進(jìn)行輻射發(fā)射測試，都是進(jìn)行的遠(yuǎn)場測試。標(biāo)準(zhǔn)的遠(yuǎn)場測試，可以準(zhǔn)確定量的告訴我們被測件是否符合相應(yīng)的EMI標(biāo)準(zhǔn)。

　　但是遠(yuǎn)場測試無法告訴工程師，嚴(yán)重的輻射問題到底是來自于電源線、某個(gè)元器件，或USB ，LAN 之類的通信接口。在這種情況下，我們使用頻譜分析儀和近場探頭通過近場測試的方法來定位輻射的真正來源。近場測試是一種相對量測試，需要把被測器件的測試結(jié)果與基準(zhǔn)器件的測試結(jié)果進(jìn)行比較，以預(yù)測被測器件通過一致性測試的可能性。需要注意的是，比較近場測試結(jié)果與EMI標(biāo)準(zhǔn)測試極限是沒有意義的，因?yàn)闇y試讀數(shù)受許多因素的影響，包括探頭位置和被測器件的形狀等。

　　一.近場探頭簡介

　　近場探頭分為磁場探頭(H)和電場探頭(E)，不同的近場探頭在定位、評測可能的發(fā)射源以及對其進(jìn)行故障診斷方面都有不同的特殊優(yōu)勢。

　　1. 電場探頭(E)

　　電場是由電壓產(chǎn)生，主要的發(fā)射源包括一些未端接器件的線纜 、連接高阻器件的PCB 布線等，電場探頭類似一根小天線。電場探頭多為平面型或線性外觀，如下圖Langer生產(chǎn)的RF-E02和RF-E05的電場探頭：

　2. 磁場探頭(H)

　　磁場是由電流產(chǎn)生的，所以最常見的發(fā)射源包括芯片，器件的管腳、PCB 上的布線、電源線及信號線纜。最常見的磁場探頭多為環(huán)狀，當(dāng)磁場傳播線和探頭環(huán)面垂直的時(shí)候，測量數(shù)值最大。如下圖Langer生產(chǎn)的RF-R400-1和RF-R50-1不同直徑的磁場探頭

　二.如何選擇近場探頭

　　選擇近場探頭主要考慮幾個(gè)重要因素，包括分辨率 、靈敏度和頻率響應(yīng)等。

　　靈敏度：近場探頭的靈敏度不是一個(gè)絕對的指標(biāo)，關(guān)鍵是看探頭和配合使用的頻譜分析儀能不能容易的測量到輻射泄漏信號，并且有足夠的裕量去觀察改進(jìn)后的變化。如果頻譜儀的靈敏度很高，我們可以選擇靈敏度相對較低一些的探頭。反之就必須選擇靈敏度高的探頭，甚至考慮外接前置放大器提高整體系統(tǒng)的靈敏度。

　　分辨率：是探頭分辨干擾源位置的能力。而通常來說分辨率和靈敏度是一對矛盾體。以我們的環(huán)狀磁場探頭為例，尺寸越大的環(huán)狀探頭，靈敏度往往越高，測試面積越大，從而分辨率就會越低。

　　頻率響應(yīng)：頻率響應(yīng)是給定探頭在測量相同幅度、不同頻率的信號時(shí)得到的幅度差。在進(jìn)行近場測試的過程中，探頭的角度以及探頭與被測器件之間的距離都會改變，因此使測量場強(qiáng)的絕對值失去了意義。數(shù)據(jù)結(jié)果的比較非常重要，它可以幫助工程師找到產(chǎn)生最大發(fā)射的頻率點(diǎn)。例如，如果頻率響應(yīng)在一個(gè)特定頻率上出現(xiàn)很大衰減，那么在該頻率上的高發(fā)射可能遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于信號分析儀上的發(fā)射，因而被忽視